在室温至600°C退火D2+轰击过的GaAs单晶片,只要退火温度低于200°C,得到的电阻率可达(1~2)×108欧姆.厘米。用D2+轰击(GaAl)As/GaAs双异质结构片,制成的隔离条形激光器,近场、光谱、频率响应及退火等特性都与H+轰击激光器差不多。