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用350~450 °C低温射频溅射,接着用连续CO2激光退火处理,已在铂箔和硅片上制备了具有相当好铁电性能的PbTiO3(钛酸铅)薄膜。巳发现在辐照区有明显的順电相向铁电相转变的相变,而邻近区域并无温
单晶硅几乎是每种近代半导体电子器件的心脏部分。制造这种器件需要经过一系列复杂的工艺步骤,其中包括引进少量杂质以调整所要求的电学特性。目前,这种工艺的中心环节之一涉及在炉子里加热到1000 °C,时间达
8月27日至30日,在圣地亚哥举行的摄影光学仪器工程师协会技术年会关于激光加工的两天讨论会上,半导体器件的激光退火使其他材料加工应用黯然失色。该协会说,将近有2000人参加了这次有关光学技术应用的17
近来人们广泛地研究在激光作用下注入半导体中所产生的结构变化。研究者主要力量集中研究注入层从非晶态向晶态的过渡,以及离子注入时产生的辐射破坏的激光退 火。本质的问题是,激光辐射引起半导体的参数变化是多种
脉冲激光退火是一种用强激光脉冲修复晶态半导体因离子植入而引起的破坏从而改善退火材料结构次序和电气特性的技术。这种技术的机制过去几年是个热烈争论的课题,但是现在从所累积的大量测量证据来看,似乎热模型比非
加里福尼亚州圣克拉拉的国家半导体公司用连续波激光退火已使随机存取存贮集成电路片的性能提高。虽然几年来激光退火作为“恢复”因离子注入(掺杂)损伤的一种途径有了很大的发展,但公司的此种工作似乎还是首次,他
我们采用了脉冲Q开关红宝石激光以(λ=0.6943微米)、脉冲Q开关石榴石激光(λ=1.06微米)和倍频的脉冲石榴石激光(λ=0.53微米)产生n型GaAs表面的欧姆接触;测量了n型GaAs上AuGa
目前,使用微微秒脉宽的强脉冲激光辐射的离子注入层退火获有重要意义。这不仅取决于与激光退火的物理机理的暴露有关的问题(特别是,非热过程的作用),而且还取决于超短激光脉冲作用于半导体的实际应用新的可能性。
在法国国家电信研究中心(CNET),电视大屛幕的研究人员正试图用激光退火解决一个关键的元件问题——制造大的电路列阵。这种列阵将控制电路与图象发生单元结合,从而简化与电视屏幕象素矩阵之间的电连接。
关于激光退火缺陷型金属膜的研究与数值分析,范英杰,周树民,本文是激光诱导缺陷衬底上金属膜,在微观上来改变退火金属膜结构,使其产生很好的诸如反射率等的光学等性质。而前人做过的关于激
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