为了提高980 nm半导体激光器的出光功率,在外延结构中加入了扩展波导,并优化了激光器的垒层厚度和波导层组分,将光场以有源区为中心的对称分布转化为以扩展波导和有源区同为中心的对称分布,降低了有源区限制因子,提高了输出功率,同时增加了出光面积,降低了器件腔面的光功率密度,避免器件出现光学灾变损伤。