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利用射频磁控溅射结合水热生长两步法制备了均匀致密分布的ZnO纳米晶薄膜,并利用碳纳米管阵列场发射阴极测试了其场电子激励下的发光特性。结果表明,在电子束流激励下,ZnO纳米晶薄膜的光谱具有两个发射峰,其
c面InGaN / GaN不对称纳米结构的光偏振特性
静电纺丝制备聚芳醚腈/接枝腈基碳纳米管纳米复合纤维，郭浩宇，胡晋铨，以聚芳醚腈、接枝腈基的多壁碳纳米管为原料，N，N-二甲基甲酰胺（DMF）为溶剂，应用静电纺丝技术制备了聚芳醚腈（PEN）/接枝腈基碳
GaN基LED研究的最新进展 ,汤莉莉,唐吉玉,简述了LED的发展历史,讨论了国际上最新研究出的GaN基LED的结构和工作原理,以及为改善GaN基LED性能而采取的一些手段,同时也对这些方
ECR-MOPECVD技术制备GaN薄膜研究，李赟，陈俊芳，利用氮等离子体阀射光谱和朗谬尔双探针诊断了ECR-MOPECVD装置反应室中轴向与径向的等离子体参数，得到相同气压，不同功率，不同位置�
在本文中,我们对非晶非化学计量氮化硅(SiNX)薄膜进行了室温电致发光(EL)研究。 发光装置由ITO / SiNX / p型硅结构形成。 EL显示出淡黄色的宽发射光谱,功率效率为10(-6)。 EL
节能是我们考虑使用LED光源的最主要原因，也许LED光源要比传统光源昂贵，但是用一年时间的节能收回光源的投资，从而获得4～9年中每年几倍的节能净收益期。
新型明胶基碳纳米管骨架活性炭的制备，易斌，陈小华，催化裂解法制备的碳纳米管(CNTs)经混酸纯化后，均匀分散到明胶的溶液中，用乙醇析出得到明胶/碳纳米管海绵体前驱体，再通过炭化、�
热退火对离子注入制备Si纳米晶发光性能的影响，周小东，任峰，本文采用离子注入法将Si离子注入到非晶SiO2介质中，并结合热退火处理制备了Si纳米晶。系统研究了热退火条件对Si纳米晶光致发光（PL）
分别用黄色、红色荧光粉和黄色、红色、绿色荧光粉制备了两种高显色指数白光发光二极管(LED),调整荧光粉的比例使显色指数达到最高。对两种样品进行光学测试,发现加绿粉的样品光通量比较大,这是因为加绿粉后绿
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