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该文档详细阐述了一种新型实用的做高功率快速开关的高速电源驱动电路
由于半导体激光器对电源的输出有更为严格的要求，传统的恒流源在应用于半导体激光器的时候有许多需要改进的地方。文中描述了一种
利用石英闭管法对金属有机化学气相沉积(MOCVD)外延生长的应变量子阱(MQW)650 nm AlGaInP/GaInP材料进行选择区域扩Zn,使扩Zn区域的光致发光(PL)谱的峰值蓝移达175 me
西安炬光科技发布了高功率808nm 10W的单管半导体激光器。该产品采用200μm发光条芯片,腔长为4mm,输出功率超过10W。目前市场上10W 808nm产品主要是400um芯片单管,200um发光
利用双焦望远系统和扭转柱透镜系统实现了半导体激光器线阵(LD-bar)的扭转对称化,对称化后的光束在x和y两个方向的光束宽度、发散角和光束参量积接近相等,极大地改善了半导体激光器线阵光束的不对称性和像
东京冲电气公司已研制出一种以各类砷化镓为激活晶体的高功率半导体激光器。掺有硅杂质的砷化镓在900 °C高温下以液相外延法生长,掺硅杂质将其发射波长移到砷化镓的吸收带外。此种原型半导体二极管在1平方毫米
本文在分析半导体激光器损坏机理的基础上得出半导体激光器驱动电源设计的关键在于保护电路的设计。通过深入分析传统半导体激光器驱动电源保护电路的特点,找出其设计的优点和不足,并在充分吸收传统半导体激光器驱动
谢红云1,安振峰2 ,陈国鹰1(1.河北工业大学信息学院,天津 300130;2.中电科技集团电子13所,河北 石家庄 050051)摘要:综合介绍了目前半导体大功率激光器普遍采用的材料结构、芯片结构
设计了980nm大功率半导体激光器的驱动电路及温度控制电路，该电路制作成本低，输出功率稳定，稳定度可达0.01dB。并对激光二极管
综述了多段式半导体激光器的研究进展。按结构不同，将他们分成两段式、三段式和四段式激光器进行讨论。重点介绍了几类具有典型结
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