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掺钕氟磷酸锶[Nd:Sr5(PO4)3F,简称Nd:S-FAP]晶体是一种最近报道的激光工作物质。本文通过纵向泵浦Nd:S-FAP晶体研究了它的激光特性,得到基横模(TEM00)输出,泵浦阈值为9 m
采用全矢量有效折射率法计算光子晶体光纤的色散系数,深入分析了光子晶体光纤色散系数与结构参数之间的关系,发现色散系数随着结构参数的变化具有双极值特性:1)当Λ值保持不变时,随着d/Λ值的减小,零色散波长
半导体光刻技术带动着光源逐步向短波辐射方向发展,以KrF-248 nm、ArF-193 nm光源为代表的准分子激光光刻光源逐步取代了以往基于汞灯的光刻光源,成为当前半导体光刻技术发展的主流光源。目前应
利用有机共轭聚合物MEH-PPV 优良的发光特性和光子晶体对光的调制特性,设计制备了有机半导体二维平板的准晶光子晶体激光器。该激光器是以MEH-PPV 为增益介质,利用二维平板准晶光子晶体点缺陷和上下
对激光二极管(LD)端面抽运圆柱状Nd:YAG晶体产生946 nm激光的热效应进行了分析,考虑了晶体的三能级结构和腔内传播功率分布,修改了热转换系数,得出了更符合实际的晶体内部温度场分布。在抽运功率为
研究了1.06μmNd:YAG脉冲激光辐照LiF晶体在表面和体内所引起的损伤形貌以及在辐照位置周围的位错分布.这些位错是由于辐照位置处样品中存在的包裹物等杂质引起的不均匀吸收而产生的.
暗视场及相衬显微术的分辨率可达10~500(?),采用这两种技术可以十分清淅地观察到用引上法及温梯法生长的Nd:YAG晶体中的点缺陷集团,小尺寸位错环,蜷线位错,片状缺陷时精细结构.特别是观察到非缀饰
利用项目组研制的放电引发脉冲HF激光器, 测量并研究了激光输出光谱的特性。结果表明:放电引发脉冲HF激光光谱的能量主要集中于v(3—2), v(2—1)以及v(1—0)三个振动跃迁辐射带, 在2.65
薄片多程激光放大器通过种子光多次通过片状增益介质来提取能量,可实现高平均功率、高脉冲能量、高光束质量的激光输出,是高功率短脉冲激光系统的重要组成部分。基于Yb∶YAG片状晶体,设计并搭建了可实现种子光
The experimental method and the results are described in this paper. The injury thresholds of chinch
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