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紫外光学在光刻方面的巨大作用
为有效评估和预测在极紫外光辐照下,极紫外光刻机中残留的碳氢化合物气体在多层膜光学元件表面造成的碳污染状况,建立了光学元件表面碳沉积的复杂理论模型,描述了残留碳氢化合物在光学表面的传输,在极紫外光子和二
紫外光学:老光学材料寻求新用途
在曝光线宽为90 nm的投影光刻机中,准分子激光光源发出的矩形截面光束,需要进行一维扩束,以获得光束整形单元所需的正方形截面分布。现有的这类扩束单元分别存在严重的相干散斑效应和严格的装调公差等不足。基
在MgF2基片上,采用电子束蒸发镀膜法制备了掺锡氧化铟(ITO)导电基底,研究了充氧及退火对ITO薄膜电阻及紫外透射比的影响。并与传统的金属导电基底Au和Cr进行了性能比较。用光学显微镜、四探针测试仪
投影物镜波像差在线检测技术是极紫外光刻(EUVL)实现32 nm及其以下技术节点的关键技术,对于光刻机的整机集成具有重要研究意义和实用价值。介绍了目前国际上极紫外光刻投影物镜波像差在线检测技术的最新研
针对目前紫外光通信组网采用的时分复用(TDM)技术随着节点增加存在排队等待时延长、链路利用率低、网络吞吐量不理想等问题,提出了改进的时分复用组网方法。该方法基于紫外光通信垂直收发模型,通过考虑功率因素
为解决传统紫外光能量计所存在的功耗大、成本高、精度低以及设计复杂等问题, 提出一种基于双补偿机制的电流积分型低功耗紫外能量检测方案。该方案利用低功耗单片机实现对紫外光能量的计算; 紫外光电探测器输出的
本文用Stern-Volmer作图法,在泵浦功率密度为每立方厘米数兆瓦的条件下,求得X光预电离脉冲雪崩放电中XeCl的形成效率和电子去激发速度分别为12.4%和1.16×10~(-7)cm~3/sec
描述了一台长寿命、紫外予电离CO2 TEA激光器,在单位放电体积中,它能提供高的输出峰值功率脉冲(单横模)。在10亳米×10亳米×10亳米放电体积中,获得峰值功率为1.3兆瓦,其半极大值全宽(FWHM
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