负电子亲和势GaN光电阴极激活机理研究

研究生《光电子技术》课件，山东科技大学《光电子技术》课件，第一章

透射式指数掺杂AlxGa1-xAs/GaAs光电阴极光学性能和量子效率仿真研究，冯琤，张益军，为了更好地了解影响透射式指数掺杂AlxGa1-xAs/GaAs光电阴极性能的因素，利用薄膜光学的矩阵法推导

ZnO复合结构场发射阴极的研究，刘玉会，郭太良，首先采用水热法制备了ZnO的纳米棒阵列，然后利用化学气相沉积(CVD)法在纳米棒上生长ZnO纳米线，生成ZnO的复合结构。利用扫描电子显微�

真空电弧阴极斑点的研究进展，张程煜，乔生儒，简单介绍了国内外真空电弧阴极斑点的基本概念、研究方法以及电极材料的物理性质和显微组织对阴极斑点特性的影响，以便深入了解这

采用扫描电子显微镜中的阴极发光显微术获得了YAG:Nd~(3+)激光晶体中不同缺陷所形成的显微发光图象。据此进一步分析了这些缺陷的形成机制及其对材料性能的影响。

势垒层掺杂浓度和栅极金属功函数对高κ栅AlGaN/GaNMOS-HEMT的影响，刘红侠，陈树鹏，本文分析了HEMT器件的工作机理和器件的基本物理模型，对器件特性进行了二维数值仿真分析，重点研究了器件势

基于宽禁带半导体GaN的高温电子电路研究，沈鸿媛，杨杰，航空航天、石油钻探、火力发电和核能等行业都需要在高温环境下工作的电子系统，而硅半导体器件的最高工作温度只有150摄氏度，远�

甘 GAN for toonsquare GAN着色 要求 张量流2.2.0 python 3.6.10

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适用于光学专业学生看。