根据受抑全反射的光学隧道效应和Goos-Hanchen位移分析SOI全内反射型光波导开关中导模的传输和反射特性。在讨论等离子体戏散效应,p-n结大注入效应的基础上,分析了全内反射光波导开关的电学性质。设计了该器件的结构参数和电学参数。