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基于三维匀质化的砌体弹性模量研究,倪玉双,杨伟军,本文基于三维匀质化理论,建立了砌体的三维匀质化基本单元,且将匀质化单元中的砂浆简化为零厚度的界面单元,推导出三维匀质化砌
研究了Si1-xGex合金半导体中无声子参与光跃迁的产生机制,对由杂质无规分布引起的无声子参与光跃迁给出了一个物理模型。用此模型计算了光跃迁偶极矩,给出了跃迁偶极矩的上限。提出了未掺杂Si1-xGex
全光缓存器可实现数据包在光域内的缓存,是全光路由、全光计算以及全光交换的关键部件之一。提出了一种基于半导体光放大器(SOA)中非线性偏振旋转(PR)的光纤环型全光缓存器结构; 提出了一种利用偏振主态(
建立了一个新型的光控光导半导体开关(简称光导开关)解析模型,该模型通过拉氏变换求解了连续性方程,考虑了载流子的表面复合和体复合效应、载流子输运过程中的载流子载流子散射效应和漂移速度的负微分效应、光作用
整体密质骨力-电效应的实验研究,武晓刚 ,陈维毅,本文用分离式Hopkinson杆(SHPB)对两个整体牛股骨试件进行了撞击,记录了电压、应变与时间的曲线。对不同厚度部位电压值,以及滞后时间�
研究了直接耦合混合应变量子阱半导体光放大器(SOA)的噪声特性。实验中测定SOA在130 mA偏置电流下的噪声指数为7.7 dB,表明应变量子阱结构改善了SOA的噪声性能。理论分析指出,通过消除SOA
我们研究了通过掺杂的InSb亚波长狭缝阵列对太赫兹光的偏转。 可以通过相位控制来调节缝隙周围的InSb层的掺杂浓度,从而调整光的偏转。 我们基于等离子波导理论和特征值方程,从理论上分析了InSb-ai
半导体激光器光束由于其波导结构,出射光束发散角很大,属于非傍轴光束,使得用傍轴理论处理精度不高。为了精确地描述光场分布,需用更精确的非傍轴矢量理论进行分析。针对半导体激光器光束传输特性,运用光波矢量传
谐振式光纤陀螺(PROG)采用空心光子带隙(HCPBG)光纤后,光克尔效应引入的系统漂移将会与普通单模光纤(SMF)谐振式陀螺系统中的有所不同。为了研究谐振式空心光子带隙光纤陀螺中光克尔效应的变化情况
作者简介 王占国,1938年生,半导体材料物理学家,中科学院院士。现任中科院半导体所研究员、半导体材料科学重点实验室学委会主任和多个国际会议顾问委员会委员。主要从事半导体材料和材料物理研究,在半导体深
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