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激光束外延促进超导薄膜生长
报道超薄有源层AlxGa1-xAs/GaAs分别限制双异质结构半导体激光器的液相外延的过程。讨论了过冷度、生长温度和降温速率等对生长速率的影响。扫描电镜测得生长温度为680 °C时,GaAs有源层厚度
透射式GaN光电阴极在正面光照和背面光照下的量子效率特性研究
Fe3O4 / GaAs(100)外延结构中的磁各向异性
首先考虑脊高对注入载流子密度的影响。我们这里考虑到脊高是图1中刻蚀掉的深度矽。为了保证单模条件,这个深度一定要小于6.5/2=3.25 gm,所以我们在图1中假设了3.2pm,这个深度对光场的限制较强
本文介绍采用飞秒饱和吸收测量技术研究AlxGa1-xAs/GaAs多量子阱结构中受激载流子的超快弛豫特性.当激发光子能量大于样品势垒层能带隙时,受激产生于势垒层和势阱层连续态中的载流子分别在130和3
由液相外延方法在YAG晶体衬底上得到了可饱和吸收的Cr,Ca:YAG晶体外延层,给出了Cr,Ca:YAG晶体外延层在500 nm~1500nm范围内的室温吸收光谱曲线.分析表明,由外延方法获得的Cr,
研制出具有20μm间隙的微带型Cr:GaAsps光电闸门.用锁模氩离子激光器同步泵浦的染料激光器照射,用上升时间30ps取样示波器监测,得到输出电脉冲120ps的上升时间和230ps的半极大全宽度(F
分子束外延在Si(111)上合成InGaN / GaN多量子阱纳米线及其性能
正弦光栅的透射场分布研究，张美娜，程传福，我们通过时域有限差分法数值模拟了正弦光栅的透射场分布，计算了不同的光栅周期的透射场分布，发现光栅周期不同，其透射场近场的
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