激光化学气相淀积铁薄膜

钴硅化物薄膜的快速淀积外延生长的原子模型模拟，石浩，于民，钴硅化物作为大规模集成电路的接触等应用而收到关注。本文给出了一种新的模拟CoSi2薄膜的快速淀积外延（RDE）试验的方法。模型采用�

采用热丝和射频等离子体复合化学气相沉积设备(PE-HF-CVD),以CH4、H2和N2为反应气体,在较低衬底温度下(500 °C),用简单的催化剂制备方法——旋涂法在硅片上涂覆Ni(NO3)2溶液,经

集成电路制造技术——原理与工艺---第八章物理气相淀积 8.1 PVD概述 8.2 真空系统及真空的获得 8.3真空蒸镀 8.4溅射 8.5 PVD金属及化合物薄膜

利用条形掩膜在三组分光化学反应体系中创建分级有序图案,潘俊星,张进军,本文采用元胞动力学方法研究了耦合光化学反应的三组分混合物在条形光照掩膜诱导下的相行为,得到了多种不同的无缺陷有序形貌。探�

本文考察了由化学淀积法制得的不同厚度银膜上吸附的吡啶产生的SERS效应。结果表明金属银膜层的几何结构对增强效应产生极大影响,且增强效应不仅取决于银颗粒的大小,而且还与它们的间隔有关。我们借用了Wirg

采用金属有机化学气相沉积技术（MOCVD），使用制备的乙酸锌二水合物（Zn（CH3COO）2⋅2H2O）的混合物将氧化锌（ZnO）和铝掺杂的ZnO（AZO）薄膜沉积在钠钙玻璃上。 ZAD）和乙酰丙酮铝

大气压化学气相沉积乙炔合成石墨烯薄膜的太赫兹片电导率的提高

[Cr(ASA)(en)2]Cl•2H2O铬配合物的合成、表征及光化学活性,杨斌盛,刘彬,铬(III)配合物的光化学反应在许多领域具有重要用途。本文合成一新的铬配合物晶体[Cr(ASA)(en)2]C

本文介绍了ZnSe晶体的制备方法及其重要应用背景, 系统地总结了化学气相沉积法(CVD)制备ZnSe过程中产生的各类缺陷, 包括云雾、孔洞和微裂纹、 夹杂、分层和胞状物。采用SEM、体视显微镜、金相显

棱镜已能将激光束导入很薄的晶体薄膜,因为这种薄膜可能是微型激光回路的先驱。欲使激光系统在未来的通讯系统中能付诸使用,它们就必须具备小型、价廉、耐久和可靠诸特点。美帝贝耳公司已利用棱镜使激光耦合到薄膜中