单负材料组成光子晶体的多量子阱结构

用传输矩阵法理论研究结构周期数对单势垒和双重势垒一维光量子阱透射品质的影响。结果表明:随着阱层周期数的增加,单势垒和双重势垒光量子阱的透射峰均变窄,即品质因子提高,且双重势垒光量子阱透射品质因子提高的

基于GaN/AlGaN和InGaAs/AlAsSb多量子阱次带间跃迁的超快全光开关

制备了导光波带位于近红外1400~1650 nm的硫化铅(PbS)量子点掺杂光子晶体光纤(QD-PCF)。测量了QD-PCF对980 nm抽运光和1550 nm信号光的吸收。在980 nm激光激励下,

通过时间分辨光致发光(TRPL)研究了具有不同势垒的InGaN多量子阱(MQW)的发射寿命与载流子寿命的关系。 对于高能光子,观察到了两个指数的衰减过程。 这可以通过InGaN量子阱中的两种载流子定位

研究了用MOCVD方法生长的InGaAs/AlGaAs单量子阱(SQW)激光器阈值、温度依赖特性及光增益谱。在300 Κ下2000 μm腔长的激光器的激射阈值电流密度为200 A/cm2。在250 Κ

1.量子阱结构设计 多量子阱吸收区的设计主要应考虑阱宽、垒宽、阱深和阱的数目的选取。吸收区中所采用的异质结构为 GaAs/Ga1-xAlxAs材料系的多量子阱,组分x取为0.3左右。阱宽的选择首先

optifdtd中文教程OptiFDTD光子晶体的光子带差距模拟

讲述了光子晶体光纤的原理、结构、制作及潜在应用

量子通信单光子探测器电路设计，韩宇宏，杨树，使用InGaAs/InP雪崩光电二极管作为量子通信中的单光子探测器件，设计了单光子探测器的偏压成生电路、单光子信号放大电路、单光子信�

材料中原子的组织结构是导致材料不同的一种方式。有些材料,例如硅和锗,原子在整个材料里重复排列成非常固定的结构,这种材料称为晶体(crystals)。 原子没有固定的周期性排列的材料称为非晶或无定形(a