我们所用的膜层材料为SiNO系材料,图1为镀SiN膜所得的实验结果。曲线1为镀膜前外延片的反射谱,曲线2和3 分别对应膜厚为95 nm和135 nm的情形,膜厚度用椭偏仪测出。从曲线1可知,片子的e-lh峰在840 nm,e-hh峰 在848 nm,模式波长的位置在832 nm。对于常通型调制器,模式波长的位置应在e ̄hh峰的长波长方向;而常关型 器件,模式波长的位置应在e-hh峰附近,而且顶部必须镀减反膜,否则器件会工作在饱和区,降低器件的调制特 性。由于模式波长位置不合适,先采用镀SiNO减反膜的方法来移动模式波长。 图1 镀SiN膜前后器件的反射谱 由曲线2膜厚95 nm的反射谱