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光栅半反馈外腔改善高功率半导体激光器输出频谱特性的研究,王雨雷,付万琴,本文提出了一种半导体激光器光栅半反馈外腔方案,从实验上研究了该方案对高功率半导体激光器的频谱特性的改善作用。通过研究外腔
在可调频外腔半导体激光器(ECLD)中,选频元件的响应函数具有一定的频谱宽度,本文研究了该宽度对外腔半导体激光器的影响,导出了为实现外腔半导体激光器的连续调谐所需的该宽度的上限的表达式,求得了该响应函
介绍了利用多模光纤同空间列阵半导体激光器实现有效耦合,再将光纤组合后输出的技术。对半导体激光器的发散角、多模光纤和半导体激光器的耦合的常规技术进行了分析。介绍了多模光纤和半导体激光器耦合的新技术,即在
研究分析了980 nm半导体激光器的腔面温度特性。半导体激光器腔面光学灾变损伤(COD)是限制器件寿命和高功率输出的主要因素,通过分析腔面热源,建立腔面温度分布模型,分析了腔面温度场分布。设计了以金刚
对长轴为12 μm、短轴为10 μm 并在长轴处直连2 μm 宽输出波导的椭圆微盘激光器的热特性进行了实验和理论分析。测量连续电流注入微腔激光器的稳态特性,根据其波长红移计算器件热阻为Z
为了提高半导体激光器腔面膜的激光损伤阈值,进而提高激光器输出功率,对激光器的灾变性光学镜面损伤产生的原因进行了探讨。根据损伤原理,将高反膜中场强最大处移出界面,采用光学传输矩阵,对厚度连续变化的界面场
用电子束泵浦的半导体激光器通常有宽的(10°~15°)方向性图。在激活区直径为300~500 μm的激光器中,使用外反射镜可将辐射的方向性图压缩到衍射极限,并在谐振腔中形成基横模振荡。
报道了一种采用大光学腔结构的InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱高功率半导体激光器。在量子阱能级本征值方程的数值求解基础上,优化了InGaAs阱层材料的In组份含量;采用大光学腔结构以有效降
研究外部光注入半导体激光器的非线性物理特性, 用小信号分析方法分析了激光器的动力学行为。分析了外部光注入对半导体激光器的激光非线性频率啁啾影响, 给出了最大静态锁模公式, 理论上指出, 有外部光注入半
本文从理论上分析了外腔半导体激光器的线宽压窄原理,用延时自外差法对外腔半导体激光器的线宽特性进行了测量研究,得到了线宽反比于激光器输出功率及外腔反馈率的实验结果.
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