采用选区外延生长应变InGaAsP/InGaAsP多量子阱有源层,制备出带宽为25 Gb/s的单片集成电吸收调制分布反馈激光器。激光器区和调制器区的荧光光谱波长分别为1535 nm和1497 nm,偏调约为38 nm。利用全息技术在激光器区制备光栅,集成器件激射在1549 nm波长处,器件的阈值电流为18 mA,在100 mA直流电流下出光功率大于10 mW。器件工作在单模状态,边模抑制比大于40 dB,与单模光纤耦合后测得的静态消光比为23 dB,器件的3 dB响应带宽为16 GHz。调制器偏压为-1.7 V,峰峰值电压为3.5 V,在25 Gb/s非归零伪随机二进制码(215-1)调制下测