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主要介绍EDA的技术以及其未来发展,希望能帮助你了解EDA技术
绝缘栅双极晶体管(IGBT)的内部载流子控制方法对器件的导通状态电压降、关断损耗、SOA、热可靠性和瞬态稳定性等器件性能至关重要。已经报道的许多载流子控制方法都侧重于发射极(或阴极)、集电极(或阳极)
本文将针对IGBT以及MOSFET器件的隔离驱动技术进行大致的介绍,帮助大家理解。
随着功率电子和半导体技术的快速进步,各类电力电子应用都开始要求用专门、的半导体开关器件,以实现成本和性能的共赢。与传统的非穿通(NPT) IGBT相比,场截止(FS) IGBT进一步降低了饱和压降和开
正泰 半导体器件保护用熔断器NGT技术样本pdf,NGT型熔断器具有分断能力高，限流特性好，周期性负载特性稳定，低功率损耗等 优点。能可靠地保护半导体器件晶闸管及其成套装置。
飞思卡尔智能车竞赛电磁技术方案,自制,含原理图和代码
电子-IGBT驱动部分.pdf,单片机/嵌入式STM32-F0/F1/F2
《IGBT和IPM应用电路》在介绍IGBT和IPM结构与特性的基础上，结合国内外电力电子器件的应用和发展趋势，全面系统、深入浅出地阐述了IGBT和IPM的典型电路和应用技术，突出实用性。全书共7章，分
为可靠驱动绝缘栅器件,目前已有很多成熟电路。当驱动信号与功率器件不需要隔离时,驱动电路的设计是比较简单的,目前也有了许多优秀的驱动集成电路。
IGBT模块驱动及保护技术 对焊机维修很有帮助
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