980nm大功率垂直腔面发射激光器偏振特性

用电子束抽运的垂直腔面发射激光器作投影显示

基于光反馈垂直腔面发射半导体激光器动力学模型,通过分析光子数密度随光反馈强度变化的分岔情况,确定了激光器处于混沌态时的参数区间。利用混沌信号驱动同步方案,实现了两个被驱动激光器的精确混沌同步,并通过对

基于外部光反馈注入垂直腔面发射激光器(VCSEL)的混沌偏振系统以及线性电光调制理论,提出了一种可重构的光电混沌逻辑门实现方案,并给出了具体的物理模型。首先,通过计算确定VCSEL输出光为混沌态时的参

研究了大功率底发射垂直腔面发射激光器(VCSEL)单管器件光束质量,分析了电流、出光孔径、衬底厚度等因素对M2因子、远场发散角、近场及远场光强分布等的影响。使用有限元的方法对不同电极及不同氧化孔径时有

980nm VCSEL线性阵列及其高温工作特性

在SIMULINK平台下建立了垂直腔面发射激光器(VCSEL)动态仿真模型,利用该模型对多次外光反馈下垂直腔面发射激光器的非线性行为进行了研究。结果表明,短外腔时,光子密度随外腔长呈周期为半激射波长的

腔内倍频垂直外腔面发射激光器(VECSEL)具有较大的腔内循环功率,能够获得较为理想的倍频转换效率。综述了腔内倍频VECSEL的研究进展,总结了不同倍频VECSEL中倍频晶体的使用情况,并通过倍频VE

设计并制备了一款短波长红光640 nm的大功率半导体激光器。利用金属有机化学气相沉积技术生长了AlGaInP材料的激光器外延层,其中,限制层使用低折射率的AlInP材料,有源区使用张应变的GaInP/

在激光器腔面处制作非吸收窗口(NAW)可以有效地减少光吸收, 防止激光器过早出现光学灾变损伤(COD), 是提高大功率半导体激光器的功率特性的重要手段之一。采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术二

测试并分析了980nm半导体激光二极管的输出光功率、光谱和消光比与注入电流及温度的变化关系。