含TTF结构单元的酞菁和四氮杂卟啉衍生物的研究概况,冷丰收,尹炳柱,本文综述了含TTF结构单元的酞菁和四氮杂卟啉衍生物的合成、光物理和电化学性质以及聚集和自组装性能的研究。
制备和研究了全氟取代的钛酞菁F16PcTiO及其轴向取代衍生物 F16PcTiO2PhCHO的线性和非线性光学(含光限幅)性能。与F16PcTiO相比,轴向取代的钛酞菁F16PcTiO2PhCHO的Q
氢化硅碳薄膜制备及其光电性能研究,马胜利,张旭东,本文采用电弧增强磁控溅射镀膜(AEMS)技术制备SiCx:H薄膜,采用新颖的独立Si、C平面靶材,通过采用不同的工艺参数得到不同显微结构及光
采用反应磁控溅射法制备二氧化钒(VO2)薄膜,并对其进行快速热处理(RTP)。主要研究500 °C快速热处理10、15、20 s工艺条件下VO2薄膜结晶状况和光电性能的变化。在20 °C~80 °C温
2,3,9,10,16,17,23,24-八羧基酞菁铁敏化TiO2的合成及光催化性能研究,尤会敏,赵彦英,将固体熔融法合成的2,3,9,10,16,17,23,24-八羧基酞菁铁(FePc(COOH)
本文应用激光诱导ESR波谱法研究酞菁类光敏剂的光动力反应动力学过程,对几种酞菁的单重态氧(~1O_2)相对量子产额进行了测定比较。
引言电感线圈和电子变压器的生产领域,大多数工厂采用浸焊的方式实现COIL和PIN或BASE的连接。浸焊采用的温度往往高达400℃以上,如此高温的作业过程中,不可避免的发生铜溶解进锡炉的情况,致使锡炉中
缓冲层对ZnO薄膜特性影响的实验研究,张传瑜,赵晓凤,本文主要是采用射频磁控溅射的方法在玻璃衬底上分别以钼,二氧化硅为缓冲层成功制备了ZnO透明导电薄膜。通过X射线衍射仪(XRD)、�
激光诱导薄膜损伤的光偏转特性研究
采用低电阻率的Ta2O5/SiO2、Ta2O5/Al2O3复合层制备出低压驱动ZnS:Mn薄膜电致发光器件,它的阈值电压在40V以下。当驱动电压为60V、频率为50Hz时,发光亮度在200cd/m2以