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光刻知识教程
在现代半导体行业中,研发中心对于光刻技术的关注是非常重要的。
课程内容: 1 版的图形尺寸精确 2 版的套准误差小 3 版的黑白反差高 4 图形边缘光滑陡直无毛刺、过渡区小 4.1 过渡区定义和特点 4.2 过渡区产生的原因 4.3 过渡区造成的影响 5 版面光
光刻胶与光刻工艺技术 微电路的制造需要把在数量上精确控制的杂质引入到硅衬底上的微小 区域内,然后把这些区域连起来以形成器件和VLSI电路.确定这些区域图形 的工艺是由光刻来完成的,也就是说,
介绍了关于数字图像处理的发展近况,及其发展的过程。
随着科学技术的发展,人们对信息的传输、处理和储存等要求越来越高。自六十年代激光出现后,光学作为信息处理的手段得到了很大发展。由于它有髙速、有效的二维平行处理能力,一系列光学处理技术,如:傅利叶变换、空
光刻胶的选择 光刻胶包括两种基本的类型:正性光刻和负性光刻,区别如下
按照化学结构分类;光刻胶可以分为光聚合型,光分解型,光交联型和化学放大型。光聚合型光刻胶采用烯类单 体,在光作用下生成自由基,进一步引发单体聚合,最后生成聚合物;光分解型光刻胶,采用含有重氮醌类化合物
陶瓷体激光刻线型片式电感器具有体积小、热稳定性好及可焊性好的特点,其外形尺寸如图所示。 图:陶瓷体激光刻线型片式电感器外形
为了研究1064 nm 激光刻蚀聚酰亚胺基底镀铝薄膜的作用机理,采用有限元分析软件ANSYS模拟了激光对聚酰亚胺基底上铝薄膜的刻蚀过程,分析了激光脉冲作用于铝薄膜表面时的能量传输及转化过程,获得了铝薄
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