采用脉冲等离子体沉积后退火的方法,在石英基板上制备了掺钨的氧化锡透明导电膜。 钨的掺杂可以有效地提高膜的导电性,同时保持高透明度。 在不同的退火温度和钨掺杂含量下,已经研究了薄膜的结构,电学和光学性能。 X射线衍射测量(XRD)证实了在高于500°C退火的掺杂钨的氧化锡膜是多晶的并且具有四方金红石结构。 化学状态分析表明,钨原子被完全氧化为6+价。 可重现的最低电阻率为6.84 x 10(-4)ohm cm,载流子迁移率为66.4 cm(2)V-1 s(-1),载流子浓度为1.38 x 10(20)cm(-3)在3%(重量)的钨掺杂薄膜中在800摄氏度的空气中退火。 在400至700nm的可见光