利用扫描透射电子显微术(STEM)和变温光致发光光谱(PL)研究了In组分对InGaN/GaN蓝光LED的发光的影响。STEM发现两个样品量子阱结构相同,低温PL显示低In组分的样品的发光峰位随着温度的升高呈现出经典S(Red-Blue-Red)曲线。目前普遍认为蓝移是In组分分布不均匀造成的局域激子发光的主要原因,然而实验发现高In组分没有出现峰位蓝移,产生这一异常现象的原因主要是因为高In组分造成的势起伏较大,在80 K~160 K条件下造成很大的热势垒,从而阻碍了载流子从强束缚局域态向弱束缚局域态的跃迁。同时,在高温段160 K~300 K载流子的带填充过程在峰位蓝移方面起主要作用。这是