报道了一种具有新型排列方式的垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)阵列。通过调制阵列中各单元直径以及单元间距,得到1 kW/cm~2的高功率密度和高斯远场分布,且在工作电流0~6 A 内远场发散角均小于20°。阵列由直径分别为200μm,150μm和100μm成中心对称分布的5个单元组成,单元圆心间距分别为250 μm和200 μm。在室温连续工作条件下,阵列在注人电流4 A时达最大输出功率880 mW,斜率效率为0.3 W/A,具有0.56 A的低阈值电流,微分电阻0.09 Ω。与具有相同出光面积的4×4二维阵列相比,这种新型阵列在出光功率、阈值电流、光谱特性及远场分布等方面均具有优越性。模