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半导体激光器光束传输特性研究，详细描述了半导体激光器工作原理与结构，以及输出光束特性描述方法！
一、半导体激光器简介 半导体激光器俗称激光二极管,因为其用半导体材料作为工作物质的特性所以被称为半导体激光器。半导体激光器由光纤耦合半导体激光器模块、合束器件、激光传能光缆、电源系统、控制系统及机
地面和空间通讯系统对半导体激光器的功率要求是逐步增加的。影响注入式激光器的最大输出功率的大部分因素正在继续研究和发展中。近来,有关这方面的工作已经表明,最大功率输出的激光二极管的最隹面积是10
在一次少有的记者招待会上,贝耳实验室透露了一种在纤维光学通信上具有革命性潜力的新型半导体激光器。这种器件被称为解理耦合腔或C3激光器,它被誉为第一只可从一种频率向另一种频率进行超纯频率调制的实用光通信
短波区注入式半导体激光器
实现了一种新的稳频方案。通过对饱和吸收信号进行检测,得到半导体激光器频率的变化量,利用温度粗调、电流细调的方法对半导体激光器进行稳频,根据此思路设计了基于单片机控制的稳频系统的硬件电路及软件辅助锁频程
近来,使用半导体激光器的产品在增加,如光通讯系统、用半导体激光器作光源进行再现的视频和声频唱片、激光印字机、光学唱片存贮器等都是突出的例子。这表明,半导体激光器巳经发展到了能够实际应用的阶段。事实上,
爱因斯坦在玻尔工作的基础上于1916年发表《关于辐射的量子理论》。文章提出了激光辐射理论,而这正是激光理论的核心基础。因此爱因斯坦被认为是激光理论之父。在这篇论文中,爱因斯坦区分了三种过程:受激吸收、
垂直腔面发射激光器(VCSEL)具有低阈值电流、圆形光斑、高调制带宽、易于单纵模激射以及高密度二维光集成等优势。在实际应用中,单横模VCSEL是光通信、高速局域网、光互连等许多应用领域的理想光源。在分
为改善垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)的热特性, 提高其光电性能, 研制了新型辐射桥结构的VCSEL, 即采用辐射桥状的电流注入通道取代以往传统结构VCSEL的环形电流注入通道。研究表明辐射桥结
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