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我们建议使用超导纳米线作为目标和传感器,直接检测亚GeV暗物质。 由于对电子上的少量能量沉积具有出色的灵敏度,并且暗计数低,因此此类设备可用于探测来自暗物质散射和吸收过程的电子反冲。 我们使用现有制造
Bi催化生长ZnO纳米线及其发光性能,周阳,韩祥云,利用Bi作为催化剂,在400 C的低温条件下,通过CVD法成功制备了六角结构的ZnO纳米线。X射线衍射仪(XRD)证实纳米线中除了包含ZnO外还有B
光刻限定区域制备硅纳米线,于航,端木庆铎,基于金属辅助化学刻蚀机理,在光刻限定区域制备硅纳米线,实验过程中通过调整刻蚀时间来控制硅纳米线长度,通过扫描电子显微镜(
SiC纳米线弯曲变形下的电学性能研究,高攀,王疆靖,在透射电子显微镜下,利用纳米操控系统对单根SiC纳米线进行了系列操控,包括单根纳米线的选取、固定、应变加载等,并对其电学输运
应变工程调制屈曲CdS纳米线的光波导
聚吡咯纳米线的热稳定性研究,李运涛,王涛庆,采用软模板法合成了直径约为40-90nm的聚吡咯(PPy)纳米线,通过热重分析(TGA)研究了有机酸(苯甲酸和乙酸)或无机酸(磷酸)在十六烷
液体等离子传感的金纳米线波导建模
本发明的一般地涉及光伏器件,涉及包括细长纳米结构和共性衍生结(conformally-derived junction)的光伏器件。
石墨烯包覆的ZnO纳米线光波导
钛酸铅纳米线的铁电相变研究,胡永明,王钊,采用水热法合成了钙钛矿结构钛酸铅(PbTiO3)纳米线。水热温度对产物的形貌有较大的影响,PbTiO3纳米线的直径为10~20 nm。变温Raman光谱
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