GaN∶Eu 3+作为红光发射材料,在GaN基单片集成全色显示器件应用方面具有很大的潜力。目前的研究重点是如何进一步调控和优化GaN∶Eu 3+材料的发光特性,促使其迈向实用阶段。本文主要从生长调控,Mg 2+、Zn 2+、Si 4+元素共掺调控,其他稀土元素共掺调控等方面综述了GaN∶Eu 3+材料发光特性的研究进展,比较各调控方法的应用潜力,指出GaN∶Eu 3+材料今后的研究重点,并对该领域的发展趋势进行了展望。