成功地控制了自组织三维GaN小岛的外延生长,在其上面可形成多个非极性小面侧壁。以此作为一个理想的基底,在非极性小面上设计制备了InGaN/GaN多量子阱发光有缘层结构。通过透射电子显微镜(TEM)制样和微观结构分析,确定了GaN小岛的生长特性和小面形成特性,并利用阴极荧光光谱对InGaN/GaN多量子阱的发光特性进行比较和讨论。结果表明,单一小岛可有效实现混合白色发光(蓝色、绿色和红色),经过确认发现,半极性小面上的InGaN/GaN量子阱结构为明亮多色发光的主要区域。进一步小面构成的量子阱结构控制,可有效地调整白光质量,并对新一代白光照明提供新的方向。