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薄层SOI场p沟道LDMOS对RON,sp和BV的后栅极效应
一种与高电压(HV)n沟道LDMOS兼容的新型低比导通电阻(R-on,R-sp)绝缘体上硅(SOI)p沟道横向双扩散金属氧化物半导体(pLDMOS)( nLDMOS)。 pLDMOS内置在N型SOI层
低比导通电阻(R-ON,R-sp)绝缘体上硅(SOI)p沟道LDMOS(pLDMOS),具有增强的减小的场效应(RESURF)效应和背栅的自屏蔽效应(BG)偏见已提出并进行了调查。它具有一个氧化物沟槽
提出了一种新的具有界面空穴岛(HI)层的局部SOI(绝缘体上硅)(PSOI)高压P沟道LDMOS(横向双扩散金属氧化物半导体),并从理论上研究了其击穿特性。 高浓度的电荷积聚在界面上,其密度随负漏极电
具有新型结型场板的低比导通电阻SOI LDMOS
研究了相干态光场与纠缠双原子相互作用系统中场熵的压缩性质, 借助于数值计算, 讨论了双原子纠缠度及光场强度对场熵压缩的影响。所得结果表明, 双原子初态的纠缠度对压缩的持续时间和压缩深度具有决定性的影响
激光初始光场的强度分布特性在一定条件下将影响其远场能量集中度。讨论了空心束的远场光强分布特性,并提出用强度非平整度因子UE来描述随机初始光场的强度分布特性,强度的深度调制将导致能量集中度的下降。高能激
山地地形对下击暴流风场特性影响的研究，侍海滔，吴元泽，下击暴流为雷暴天气中强下沉气流猛烈冲击地面后形成的并沿地面传播的极具突发性和破坏性的近地面短时强风。从工程结构抗风设计的
具有累积效应扩展栅极的超低导通电阻高压p沟道LDMOS
为获得高瓦斯工作面采动应力场对煤岩破坏导致渗透性变化的影响规律,进而指导瓦斯抽采的工程应用,采用计算机数值模拟对长壁工作面围岩应力壳分布及对破坏场的影响进行了研究和分析,获得了采场围岩应力壳对破坏场的
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