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导通电阻的准确测量是低导通电阻MOSFET测试中的一个难点。介绍了一种用于低导通电阻MOSFET测试过程中自动校验测试系统的方法。通过在DUT板上增加高精度低阻值标准电阻测试回路的方法,在正式测试前对
松下PhotoMOS RFSOP1a低导通电阻(6脚型)pdf,特点：低输出端子间容量(typ.10pF)下高速动作(typ.0.1ms）(AQV224NS)；负载电压 200V、400V；小型SOP
XC8102系列是内置P沟道MOS FET, 带保护电路的低导通电阻负载开关用IC, 最适于便携式电器。导通电阻为0.35Ω(VIN=2.9V时),输入电压范围1.2V~6.0V,当VIN≧1.8时可
Toshiba美国电子元器件公司(TAEC)推出6器件采用TSON先进封装的30V MOSFET系列。这些新器件用于同步DC-DC转换器中,如移动和台式电脑,服务器,游戏机和其它电子器件中,需要输入电
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出一款业界最低导通电阻的新型20V P沟道功率MOSFET——SiB457EDK,这是以往1.6mm×1.6mm占位面积的P沟道器
飞兆半导体推出的导通电阻RDS(ON)小于1mΩ的30V MOSFET,这款全新飞兆半导体器件FDMS7650是最大RDS(ON)值为0.99mΩ (VGS = 10 V, ID = 36A)的N沟道
在封装工艺中,芯片粘在封装上;因此,在芯片和封装之间没有明显的电阻。在封装器件中测量RDSON值是有利的,因为它能精确地模拟
半导体制造商ROHM株式会社最近开发出适合汽车驾驶导向系统、便携式DVD机、笔记本电脑、游戏机等小型、薄型机器的电源开关和电动机驱动器使用的MPT6 Dual(2元件)型系列产品,这种产品采用独创的小
国际整流器公司(International Rectifier, IR)推出75V至100V的系列HEXFET MOSFET,适用于AC-DC同步整流(SR)和ORing电路。 此系列MOSFET
圣邦微电子最近新推出一款适用于音频和高速信号切换的单刀双掷模拟开关SGM3157。该产品具有300MHz的高带宽以及4.5Ω的低导通电阻,并且拥有高导通电阻稳定性,使它在切换音频信号时可以保证杰出的线
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