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晶体管在用作放大或振荡时,它的放大倍数和工作频率是有一定限度的,并且还互相有影响。那么,晶体管的频率参数有哪些呢?本文简单介绍几个晶体管的频率参数。
EDA double junction transistor characteristics and circuit analysis
模电入门书籍——晶体管电路设计，分上下两册。实用电子电路设计丛书，日本铃木雅臣著——放大电路的实验解析。周南生翻译。
射频磁控共溅射制备Li-La-Ti-Zr-O薄膜电解质，农剑，徐华蕊，以Li0.33La0.56TiO3（LLTO）与Li7La3Zr2O12（LLZO）粉末靶材为溅射源，用射频磁控共溅射的方法制备L
近代晶体管下册 关于晶体管的很专业的书 本书是下册
在Si/SiO2衬底上使用聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)制备器件介电层的修饰层,改善介电层界面质量并诱导有源层生长,从而提高有源层的结晶程度。通过 真空蒸镀法生长并五苯/红荧烯双层结构有源层,制备有机薄
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高频VCO振荡器管子,频率高达12G,广泛应用于低成本的对讲机设计,可以获得较好的性能。
近年来,中功率双极晶体管在饱和电阻和功率范围上的重大突破,极大地拓宽了此类器件的应用领域。恩智浦最新推出的SMD封装中功率晶体管(BISS 4)再次显现出双极晶体管的技术优势,在为开关应用带来了开关损
可以查询晶体三极管关键参数,具有批量新加或单个新加,目前库内有本极管型号1万4千个,还可到作者主页 下载添加
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