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叙述了激光与材料相互作用过程中引起相干受激光散射的机制,以及形成材料表面波纹的特性。在激光波长1.06 μm、能量15 mJ、光斑直径2 mm、脉冲半峰全宽约10 ns和入射方向为布儒斯特角的条件下,
脉冲半导体激光器高速三维成像激光雷达研究
论证了激光加速带电粒子的新机制。与锐聚焦配合使用强激光超短脉冲时,加速度由光压力和具有同一方向的电场纵向分量决定。表明,(现时的)一定参数的激光可将电子加速到e~1GeV,可与“巨大”加速器达到的能量
由LD抽运Nd-YLF固体激光器输出的单纵模调Q激光脉冲,脉宽约为85ns,经过快速LiNbO3电光偏转器实现时空变换,用狭缝削取脉宽约为1ns的超短激光脉冲.导出激光束通过偏转器后扫描光线长度与加到
用超短激光脉冲进行精密加工
采用157 nm波长准分子激光,对LED-GaN半导体薄膜进行了刻蚀试验研究。探讨了GaN基半导体材料的基本刻蚀特性和刻蚀机理。结果表明,157 nm激光在能量密度高于2.5 J/cm2时,刻蚀速率可
江剑平著 半导体激光器 比较经典的一本教科书 高清版
半导体单晶激光定向pdf,半导体的研究和生产所用的材料仍以硅、锗及化合物半导体为主。它们的结构主要是金刚石,闪锌矿和纤维矿结构。晶体的鲜明的特点是各个方向性质不同。即具有各向异性的特点。在不同的晶轴方
半导体激光器是一种高功率密度并具有极高量子效率的器件,微小的电流变化将导致光功率输出的极大变化和器件参数(如激射波长、噪声性能、模式跳动)的变化,这些变化直接影响器件的安全工作和应用要求。本公司设计和
半导体激光已20年了。回顾20年来半导体激光的发展历程,展望未来,是很有意义的。
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