通过无掩模电感耦合等离子体(ICP)蚀刻可控制纳米结构GaN的过程

我们使用AdS / CFT对应关系来研究在（恒定）磁场影响下在强耦合N = 4超对称Yang-Mills（SYM）等离子体中移动的轻夸克的射流猝灭。 我们分别使用落弦和射弦进行分析。 发现这两种方法给

设计了一种基于Fano共振的等离子体折射率纳米传感器,传感器由带存根谐振腔的直波导耦合开口方环谐振器组成。使用有限元分析法研究了该传感器结构的传输特性,并分析了结构参数对系统传感特性的影响。计算结果表

设计一种包含顶角经过圆角处理的金属脊和特定三角形空气间隙层的混合表面等离子激元波导结构, 这种特定三角形结构和其他材料的组合有效提高了纳米激光器的性能。应用有限元法, 借助于COMSOL Multip

纳米等离子体辅助增强钙钛矿材料的激射特性，袁方，吴朝新，近年来，有机无机铅卤钙钛矿材料在光电子应用领域引起广泛关注。本文通过两步法制备出平整致密的甲基胺铅卤钙钛矿薄膜。该薄膜在

基于纳米金圆柱阵列的光纤表面等离子体传感器，毛培玲，罗云瀚，建立了基于纳米金圆柱阵列的光纤表面等离子体共振传感器模型，并通过有限元法对它的性能进行了计算。结果显示纳米金圆柱的直径对

通过静电纺丝法合成了SnO2纳米纤维,然后进行氧等离子体处理。 使用XRD,SEM和TEM分析了处理过的SnO2纳米纤维的形态和结构。 通过EDX,XPS和BET分析处理过的SnO2纳米纤维的组成和比

基于银板超透镜和多带相位二元光学衍射理论,提出一种超聚焦透镜结构。利用时域有限差分和标量衍射理论数值分析显示,这种超透镜在可见光范围,具有单一焦点,焦斑尺寸约0.36 λ,聚焦位置和焦深可达10 λ以

埋在次氧化硅(SiOx)的介电基体中的纳米晶硅(nc-Si)两相材料系统对于光子和光伏器件(例如发光二极管和太阳能电池)具有重要的技术意义。 非晶态SiOx中的nc-Si是通过SiH4 + CO2 +

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CHF3等离子体处理对通过低温测量确定的AlGaN / GaN HEMT的影响