暂无评论
短波区注入式半导体激光器
贝尔实验室使用的一种性能稳定的激光二极管是釆用解理耦合腔(Cleaved-Coupled-Cavity,—C3)结构的激光二极管。这种激光器不仅调频特性好,而且光谱纯度也高,用于420兆比/秒系统可使
实现了一种新的稳频方案。通过对饱和吸收信号进行检测,得到半导体激光器频率的变化量,利用温度粗调、电流细调的方法对半导体激光器进行稳频,根据此思路设计了基于单片机控制的稳频系统的硬件电路及软件辅助锁频程
传统的1064 nm稳频激光器虽然能达到很高的频率稳定度和不确定度, 但其体积比较庞大, 系统设计比较复杂。而对于一些激光频率稳定度要求不高的实际应用, 如高光谱分辨率气溶胶探测激光雷达, 系统简单与
为了提高980 nm半导体激光器的可靠性,采用氦离子注入形成腔面电流非注入区技术制作了4 μm条宽的脊形波导激光器,并利用同一块外延片制作了常规工艺的4 μm脊形波导激光器作为对比。经过长期老化实验得
在半导体激光器实现波长转换的理论模型中引入互耦合系数, 根据改进后的波长转换模型, 得出了波长转换的误码率特性与理论模型中的互耦合系数的关系, 并进行了数值模拟和实验验证。数值模拟结果表明, 互耦合系
高功率半导体激光器具有效率高、寿命长、体积小,及成本低等优点,在国防军事、材料加工和抽运源等领域具有广泛应用。阐述了镓砷/GaAs基近红外波段激光器和镓氮/GaN基蓝绿光波段激光器的缺陷类型、发射特征
本文在分析半导体激光器损坏机理的基础上得出半导体激光器驱动电源设计的关键在于保护电路的设计。通过深入分析传统半导体激光器驱动电源保护电路的特点,找出其设计的优点和不足,并在充分吸收传统半导体激光器驱动
设计了980nm大功率半导体激光器的驱动电路及温度控制电路，该电路制作成本低，输出功率稳定，稳定度可达0.01dB。并对激光二极管
综述了多段式半导体激光器的研究进展。按结构不同，将他们分成两段式、三段式和四段式激光器进行讨论。重点介绍了几类具有典型结
暂无评论