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双层HfO2 / TiO2电阻式随机存取存储器的增强的电阻开关性能
在电子技术领域，存储器和可编程器件是不可或缺的部分，它们在硬件系统中扮演着至关重要的角色。将深入探讨如何使用FPGA（Field-Programmable Gate Array）和CPLD（Compl
静态随机存取存储器（SRAM）在数字电路中起着重要的作用，通过Verilog Hardware Description Language（HDL）编写SRAM的源码是数字系统设计中的关键一步。以下是一
γ射线对基于HfO2的电阻存储器件的影响
忆阻器具有依赖于激励历史的动态电阻, 可以用来构造少晶体管的非易失性半导体存储器(NVSM), 也称为阻变随机存取存储器(RRAM). 本文提出了一种基于忆阻器的阻变随机存取存储器(MRRAM) ——
这项工作报告了通过应用氮化锗作为界面层来改善硫族化物随机存取存储设备的性能。 使用标准的0.18μm互补金属氧化物半导体技术制造的器件具有8nm厚的GeN膜。 所沉积的GeN处于非晶态并且具有光滑的表
单斜晶相HfO2电子结构与光学性质的第一性原理计算，冯丽萍，刘正堂，利用密度泛函理论框架下的第一性原理平面波超软赝势方法计算了单斜晶相二氧化铪(m-HfO2)的电子结构，得到了m-HfO2的总态密度、
a-SiNx:基于H的具有可调Si悬空键传导路径的超低功耗电阻型随机存取存储器
基于HfO2的电阻开关记忆中的氧空位效应:第一个原理研究
通过Peierls畸变实现TaO2多晶型物可逆转换,用于电阻随机存取存储器
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