采用水热法制备了掺磷的ZnO纳米棒和ZnO纳米棒的同质结。 结构和光致发光(PL)表征表明P原子掺杂到ZnO晶格中。 在低温PL光谱中,观察到发射峰位于3.310 eV和3.241 eV,这可能分别归因于磷相关受体跃迁和供体-受体对跃迁的导带。 通过在未掺杂的ZnO纳米棒上生长的P掺杂的ZnO纳米棒合成ZnO同质结。 基于ZnO纳米棒p–n同质结的电流-电压(IV)测量显示出典型的半导体整流特性,其导通电压约为3.14 V,这意味着P的电导率 掺杂ZnO纳米棒可能是p -型导电性。 在室温下对该同质结观察到电致发光,该同质结包含紫光发射和宽可见带发射。