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研究了双层堆垛InAs/GaAs/InAs自组织量子点的生长和光致发光(PL)的物理性质。通过优化InAs淀积量、中间GaAs层厚度以及InAs量子点生长温度等生长条件,获得了室温光致发光1391~1
离子径迹模板法制备纳米线，姚会军，刘杰，重离子辐照过的高分子有机膜，经过适当的处理，可以作为模板来制备金属和可溶性盐的纳米线，此方法称为离子径迹模板法。本文介绍
纳米线增长可视化
SOI基上制备CuO纳米线
在波长为1.55 gm的长波长区域,由于锗光电探测器遇到暗电流较大等问题,人们便转向使用InP基材料。在InP衬底上生长InGaAsP,通过调整化合物组分含量使它能在1.2~1.6 gm波长范围内工作
使用精确的密度泛函方法系统地研究了纯ZnO晶体和In掺杂的ZnO纳米片(ZnONS)的电子和光学性质。 根据状态的自旋相关密度和能带结构分析,通过在ZnO纳米片中掺杂铟来诱导半金属性能。 与纯ZnON
报导的是一种简单的合成金核银壳纳米棒的方法,它是使用金纳米棒作为晶种由银离子和抗坏血酸离子在碱性条件下(pH=8.0~10.0)制得的.银离子被抗坏血酸离子还原沉积在金纳米棒的表面形成了不同哑铃形状的
ITO衬底上对准的ZnO / MgO核壳纳米棒阵列的合成与表征
用于高性能超级电容器的分层ZnCo2O4 @ NixCo2x(OH)6x核/壳纳米线阵列的构建
在In As/Ga As量子点的自组装生长阶段,采用δ掺杂技术对量子点进行不同浓度的Si掺杂,可以使得量子点的室温光致发光峰强度大幅提高,其原因是掺杂的Si原子释放电子钝化了周围的非辐射复合中心。这种
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