钼掺杂氧化铟锌高锡薄膜晶体管的制备及性能

具有IZO / IGZO堆叠有源层和AlReact源/漏区的自对准顶栅非晶氧化物薄膜晶体管

铍镁共掺氧化锌纳米晶的制备及光学性能，李玉芳，刘妍利，胶体氧化锌纳米晶是一类非常重要的半导体材料，与传统薄膜材料相比它有许多优势，如优异的光电性能、易于制备和加工。掺杂或合金

蒸发氧化法制备高透过率ZnO薄膜 ，李雪，程轶，本文采用热蒸发法在普通玻璃衬底上蒸镀Zn膜，利用低温氧化法制备出ZnO薄膜，并研究不同的氧化方法对ZnO薄膜的影响。采用X射线衍射（

晶体管简介 晶体管（transistor）是一种固体半导体器件，具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能。晶体管作为一种可变电流开关，能够基于输入电压控制输出电流。与普通机械开关（如Rel

为改善氧化钨电致变色薄膜的电化学循环稳定性,采用磁控溅射方法制备了钽掺杂的氧化钨电致变色薄膜。采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)、光谱椭偏仪(SE)、紫外

世界晶体管手册，快速查找晶体管资料，包括所有型号的三极管，MOS管等

硅烷分子自组装膜对有机薄膜晶体管中介电层的修饰作用，李哲峰，，本文主要介绍一种有机薄膜晶体管的制备及其性能，利用十六烷基三氯硅烷作为自组装膜分子来修饰SiO2介电层，然后真空蒸镀有机分子DH

Na掺杂p型ZnOSe薄膜的制备及表征,蔡晖,张志远,使用脉冲激光沉积技术在石英衬底上制备了ZnOSe薄膜。在不同温度下对ZnOSe薄膜在N2气氛中进行快速退火。采用X射线衍射、Hall测试、紫外-

采用脉冲等离子体沉积后退火的方法,在石英基板上制备了掺钨的氧化锡透明导电膜。 钨的掺杂可以有效地提高膜的导电性,同时保持高透明度。 在不同的退火温度和钨掺杂含量下,已经研究了薄膜的结构,电学和光学性能

钛掺杂铁氧化物制备及催化氧化邻二氯苯的性能研究，马小东，何璇，本文以十六烷基三甲基溴化铵（CTAB）为结构导向剂，采用共沉淀法制备了系列钛掺杂铁氧化物催化剂，用XRD、氮吸附-脱附等对催化剂进�