化学氧碘激光器光学基片材料的光致热畸变特性

利用格林函数解析法对强激光辐照下的光学材料Al2O3、CaF2、Si、SiO2四种基片的温度场分布以及热畸变特性进行了分析与讨论.计算结果表明:在10lW激光功率、辐照时间为5 s情况下,Al2O3、CaF2、Si、SiO2基片中心处最大温升分别为5.6°C、6.0°C、35.1°C、26.6°C;基片中心最大热畸变量分别为:0.28μm,0.99μm,040μm,0.14μm.