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双层HfO2 / TiO2电阻式随机存取存储器的增强的电阻开关性能
γ射线对基于HfO2的电阻存储器件的影响
以偏钛酸和三聚氰胺为原料,在空气氛围下700 °C煅烧退火制备C-N改性TiO2光催化剂。利用XRD、FT-IR、XPS、SEM、UV-Vis、BET等手段对改性前后的 样品进行表征分析。分析结果显示
在本文中,我们展示了一种嵌入HfO2高k电介质中的Au-Al2O3核壳纳米晶体(NC)的电荷陷阱存储器。 透射电子显微镜图像清楚地显示了在HfO2基质中被Al2O3壳包围的Au NCs。 电气测量显示
HfO2薄膜的电阻开关效应(1) • 几种存储器原理与性能比较 • 电致电阻材料与研究现状 • 电阻存储器原理与基本机制 • 氧化铪的研究现状
在这封信中,首次在辐射条件下研究了具有金属-绝缘体-金属结构的基于HfO2的铁电随机存取存储器(FeRAM)。 掺Y的基于HfO2的FeRAM器件对60Coγ射线辐射显示出高度的抵抗力。 FeRAM的
基于HfO2的具有CNTs电极的电阻式开关存储器,用于高密度存储
基于HfO2的电阻随机存取存储器中Ag导电丝的取向和浓度:第一性原理研究
退火气氛对TiO2薄膜结构及性能的影响，张平，孙翔宇，阻变存储器是一类新型非易失性存储器，具有功耗低、读写快、保持特性好、可小型化等特点。本文主要研究了采用脉冲激光沉积（PLD）
制备了TiO2填充的聚四氟乙烯（PTFE）复合材料，用于微波电路应用。通过冷压和热处理制备PTFE/TiO2复合材料。TiO2的粒径从5μm到11μm不等。通过固态陶瓷法制备了不同尺寸的TiO2粉末。
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