ZnO纳米结构薄膜的水热法制备,柯健,戴英,低温条件下,采用水热法,在预先镀有ZnO晶粒层的玻璃基板上制备出ZnO纳米棒阵列,在Al基板上制备出ZnO片状纳米结构薄膜。并通过X射线
退火处理对埋有碳纳米点的a-SiCx:H薄膜的微观结构和光学性能的影响
利用真空热蒸发在石英基片上制备了不同厚度的氧化钒薄膜, 研究厚度对薄膜的结构、形貌和光学特性的影响。薄膜的结构由X射线衍射(XRD)仪和拉曼(Raman)光谱仪测得, 表面形貌用原子力显微镜(AFM)
研究了退火温度对原子层沉积(ALD)生长的铝掺杂氧化锌(AZO)薄膜光电性能的影响, 结果发现:AZO薄膜在600 °C退火后, X射线衍射峰的半峰全宽从未退火时的0.609°减小到0.454°, 晶
GaN是一种宽禁带直接带隙半导体材料,在电子器件领域有着广泛的应用。但由于缺 乏合适的衬底材料,限制了器件性能的进一步提高。因此,如何提高GaN外延层的性能就 成为GaN材料研究和应用中的主要问题。
有许多证据表明,电磁波的平均功率P与与其相互作用的物体的机械运动之间存在关系。我们研究了红外(IR)光的平均功率P对通过原子层沉积法沉积在硅上的薄立方Yb2O3和菱形LaAlO3薄膜的透射傅里叶变换红
为改善氧化钨薄膜的电致变色性能,通过溶胶凝胶法钨粉过氧化路线制备了聚乙二醇改性的氧化钨电致变色薄膜。采用X射线衍射仪、光谱椭偏仪、紫外可见分光光度计和电化学工作站对薄膜的微观结构、光谱调制能力、着色效
BZN对PZN陶瓷结构和介电性能的影响,云斯宁,王晓莉,采用BZN烧块作为添加剂来稳定钙钛矿结构PZN陶瓷,研究了(1-x)PZN-xBZN(x=0.08, 0.10, 0.15, 0.25, 0.5
借助于原子力显微镜研究了离子束溅射沉积工艺中入射离子能量对制备的Ti薄膜表面形貌的影响。对薄膜表面高度数据进行相关运算,发现在此工艺条件下制备的薄膜具有典型的分形特征,利用分形表面高度高度相关函数的唯
掺杂浓度对Mn掺杂ZnO纳米晶的结构及光学性能的影响,杨蛟,骆英民,采用水热法制备了Mn掺杂纳米晶ZnO样品,并利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和光致发光谱(PL谱)等方法测试了样品
