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绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。
安森美半导体(ON Semiconductor)推出八款新型N沟道和P沟道、低压沟道MOSFET,进一步丰富了其业内领先的沟道技术器件系列。这些器件降低了漏极和源极之间的电阻(RDS(on)),整体电
用N沟道MOSFET控制无刷直流风扇。
基于高桥真(Masao takahashi)串扰噪声模型,并通过对互连温度效应的分析,提出了遗传RC树的时域互连串扰噪声电压的温度相关模型。 该模型分析了45nmCraft.io节点中的多级串扰噪声电
本文主要简单介绍了增强型N沟道场效应管(MOSFET)的电池反接保护电路
matlab写的高斯混合模型包，内有详细的函数功能说明。
所谓的增强还是耗尽,主要是指MOS管内的反型层。如果在不通电情况下,反型层不存在,电压加到一定程度后,反型层才出现,这个就是增强。相反,如果反型层一开始就存在,随着电压强弱,反型层会出现增加或者衰减,
耗尽型MOSFETDMX1072在工业传感器、智能变送器中的应用
基于横向PN结中的载流子耗尽效应,我们演示了具有低插入损耗的高速硅马赫曾德尔调制器(MZM)。 甲1.9分贝片上的插入损耗以及V PI大号PI 2 V.cm分别在MZM与750亩达到<通
研究了全耗尽SOI、部分耗尽SOI和体硅NMOS器件中源、漏、栅和衬底电流的非准静态现象。研究表明,在相同的结构参数下,体硅器件的非准静态效应最强,PDSOI次之,FDSOI最弱。指出了沟道源、漏端反
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