应变硅GAA TFET的分析阈值电压模型

matlab开发-Tlabsimulink中的无电压面板模型。一种基于电路的光伏电池仿真模型，用于估算光伏和光伏特性曲线。

IBIS模型的分析,包括模型结构，如何创建，如何验证等等。

介绍常用的分析模型，包括swot模型，PESTELPESTEL模型、kano模型，fogg行为模型、漏斗模型等，以及各个模型的应用场景等。

基于包钢6号高炉的在线生产数据,首先建立铁水硅含量序列的自回归AR(p)模型,分析其滞后阶数;然后对硅含量的自回归项及影响因素进行主成分分析,找到多元变量相互独立的有效信息作为输入变量;最后建立铁水硅

提出了多孔硅表面缺陷光子晶体结构,引入多孔硅敏感层及吸收介质层形成表面缺陷腔,利用多孔硅高效的承载机制,将其作为待测样本的传感区域;由于吸收介质ZnS对谐振波长的吸收,可在反射光谱中获得与谐振波长对应

站在巨人的肩膀上分析问题，可以减少我们的重复劳动

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选择255/3作为T1，255*2/3作为T2，把区域分成三部分。检测灰度值等于127的点周围八个点有没有灰度等于0的，如果有，把该点也赋为0.一直循环到点周围找不到0点了，把127的值变成255。

比较经典的常用的三种二值化算法，包括Otsu二值化，Niblack二值化，Kittler最小误差二值化。

高电源抑制比的CMOS亚阈值多输出电压基准，李泳佳，夏晓娟，本文基于工作在亚阈值区的MOS器件，运用CMOS电流模基准对CATA和PTAT电流求和的思想，提出一种具有低温漂系数、高电源抑制比的CMOS