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报道了一种锁波长914 nm共振抽运的Nd∶YVO4/LBO腔内倍频的绿光激光器,利用锁波长914 nm的半导体激光器作为抽运源,极大地提高了抽运的均匀性和抽运效率,降低了激光器的热效应,从而获得了高
分析腔面反射率对GaN基半导体激光器斜率效率和输出功率的影响,并对出射波长为450 nm的激光器进行实验验证。结果表明,对于非对称谐振腔结构,通过优化腔面反射率,可以抑制空间烧孔非线性效应,提高器件的
东京冲电气公司已研制出一种以各类砷化镓为激活晶体的高功率半导体激光器。掺有硅杂质的砷化镓在900 °C高温下以液相外延法生长,掺硅杂质将其发射波长移到砷化镓的吸收带外。此种原型半导体二极管在1平方毫米
本文在分析半导体激光器损坏机理的基础上得出半导体激光器驱动电源设计的关键在于保护电路的设计。通过深入分析传统半导体激光器驱动电源保护电路的特点,找出其设计的优点和不足,并在充分吸收传统半导体激光器驱动
谢红云1,安振峰2 ,陈国鹰1(1.河北工业大学信息学院,天津 300130;2.中电科技集团电子13所,河北 石家庄 050051)摘要:综合介绍了目前半导体大功率激光器普遍采用的材料结构、芯片结构
设计了980nm大功率半导体激光器的驱动电路及温度控制电路,该电路制作成本低,输出功率稳定,稳定度可达0.01dB。并对激光二极管
综述了多段式半导体激光器的研究进展。按结构不同,将他们分成两段式、三段式和四段式激光器进行讨论。重点介绍了几类具有典型结
根据脉冲工作状态下半导体激光器激射光谱随结温升高而发生红移的原理,提出了一种测试半导体激光器热弛豫时间的新方法——利用调节取样积分器(Boxcar)取样门,测量光信号脉冲内不同时刻的时间分辨光谱。采用
激光被称为“最快的刀”、“最准的尺”、“最亮的光”,与原子能、计算机、半导体并称为20世纪新四大发明。大功率半导体激光器在工业加工、医疗美容、光纤通信、无人驾驶、智能机器人等方面有着广泛的应用。如何实
从半导体激光器的光参数积出发,给出了一种集光束准直、整形、聚焦及耦合的高功率半导体激光器阵列光束的光纤耦合方法。推导出了正交的两组准直微透镜阵列的面形公式;计算了准直光束的准直精度和聚焦光学系统参数。
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