运用溶胶改性和溶剂置换的方法制备以癸烷为溶剂的SiO2溶胶,通过单面旋涂方法在方形50 mm×50 mm×10 mm 的KDP晶体基片上制备均匀性良好的膜层。使用分光光度计测试涂膜的晶体基片,涂制三倍频及基频二倍频减反膜的KDP晶体基片在378 nm和835 nm处的透过率峰值均大于99.5%,膜层减反射效果良好。结合过滤技术及超声波清洗技术实现了膜层制备过程中的缺陷控制,将经过缺陷控制的三倍频减反膜涂制在洁净度高的熔石英陪涂片上,并在测试前进行激光(波长为355 nm,脉宽为3 ns)预处理,得到的三倍频减反膜的抗激光损伤阈值为(14.0±2.1) J·cm -2。