暂无评论
SBS-g-PAA/SBS-g-PAM双极膜的制备及在成对电合成乙醛酸中的应用，黄雪红，林埔，以SBS作为基膜材料，采用自由基接枝聚合反应，在SBS主链上引入丙烯酸（AA）链段作为阳膜；引入丙烯酰胺基
铝基上制备双疏表面，秦春磊，刘长松，本文依次使用盐酸、全氟辛酸乙醇溶液对铝基进行刻蚀和表面改性，改变铝基表面的微结构及化学组成，从而改变材料表面的润湿性，成
SOI基上制备CuO纳米线
安全 腐蚀剂的腐蚀性极强。 戴上护目镜,面罩,丁腈手套,乙烯基实验室围裙,无纺布鞋。 将酸加入稀释剂中。 向弱酸中加入强酸。 最后添加氧化剂。
一般清洗技术 干法刻蚀是用等离子体进行薄膜刻蚀的技术。它是硅片表面物理和化学两种过程平衡的结果。在半导体刻蚀工艺中,存在着两个极端:离子铣是一种纯物理刻蚀,可以做到各向异性刻蚀,但不能进行选择性刻蚀;
神经干细胞在表面改性PHBHHx膜上的存活及分化研究，杨志倩，吕海侠，目的对PHBHHx膜进行表面改性，以增强与神经干细胞（NSCs）的组织相容性，进而为以NSCs为基础的脑组织工程应用奠定基础。方法
我们建立了一个用于分析紧模型区域上零能量矩阵模型的边值问题的通用框架。 我们为有限半径的球上的D = 11正则化超膜理论（即N = 16超对称SU（N）矩阵模型）的质量算符导出了基态波函数的存在性和唯
东芝开发出了新型栅极绝缘膜积层技术,该技术可适用于16nm级以后LSI用的MIS型晶体管。该技术是一种在高介电率(high-k)栅极绝缘膜及锗(Ge)沟道之间插入“SrGex(Strontium Ge
2-十六烷氧基苯胺单分子膜原位还原制备纳米硒复合膜的研究，厉业敏，韩成祥，合成一种单体2-十六烷氧基苯胺(2-C16OAn)，并以其作为成膜物质，在一步还原亚硒酸溶液制备硒纳米颗粒的同时，2-C16O
本文对在抛光铜衬底上通过填隙法制备的高质量石墨烯薄膜进行了详细研究。在电化学机械抛光后的铜衬底上制备石墨烯晶畴, 降低了晶畴的成核密度。利用光学显微镜和扫描电子显微镜对抛光铜衬底和未抛光铜衬底上制备的
暂无评论