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二氧化钒薄膜在光的照射下,会从绝缘体相变为金属,伴随有电导率的剧变,该现象称之为光致绝缘体-金属相变。二氧化钒薄膜的这种相变对于太赫兹波段的调制器或者其他功能器件有重要应用。利用太赫兹时域光谱技术研究
采用一种新工艺在Si和Si3N4衬底上制备了性能优良的氧化钒薄膜,并对其微观结构和光电特性进行了研究。测试结果表明采用新工艺所制备的氧化钒薄膜在相变前后电阻率变化达到3个数量级,红外透过率在相变前后改
磁控溅射法制备氧化钒薄膜的研究
对磁控溅射法制备的氧化钒(VOx)薄膜在N2气氛中进行了不同时间的450 °C退火实验,并研究了其退火前后的形貌、结构、成分和电学特性的变化。电阻温度特性测试表明,退火后薄膜的电阻(R)和电阻温度系数
通过原子层沉积技术制备了二氧化钛(TiO2)薄膜,并由该TiO2薄膜制备了金属-绝缘体-半导体-绝缘体-金属结构的紫外光电探测器。 同时,在相同条件下还制作了金属-半导体-金属结构的光电探测器以进行比
我们研究了全息模型，该模型展现了从强相互作用的Weyl半金属相到绝缘相的量子相变。 在全息绝缘阶段，在与频率相关的对角线电导率的实部中存在硬间隙。 但是，霍尔电导率异常在零频率下不为零，表明它是Che
应用电子束蒸镀氧化铟锡(ITO)薄膜, 在氮气环境中对ITO膜进行不同温度下快速热退火(RTA)处理。采用X射线衍射仪(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)技术、扫描电子显微镜(SEM)、可见光分光谱
采用有限时域差分法,研究了内嵌金属块长度与夹缝宽度对金属绝缘体金属波导结构的光透射特性的影响。研究发现,此结构相比较于单一直波导而言,出现了一个很明显的透射峰。并且当金属块的长度较大时,其与波导上表面
Sb对Bi2Te3拓扑绝缘体性能及结构的调控研究，姜颖，王勇，利用分子束外延（MBE）方法制备出厚度为30QLs（quintuplelayers）、具有不同Sb掺杂浓度的Bi2Te3拓扑绝缘体（TI）
V02是一种固态热致变色材料，随着温度的变化它的晶态结构会从半导体态相变到金属态，而且相变可逆。由于 相变前后电、磁、光性能有较大的变化，这使得它成为一种有前景的电／光转换、光存储、激光保护和智能窗材
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