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相比用于制备晶体材料的化学气相输运(Chemical Vapor Transport, CVT)方法,近空间气相输运沉积(Close-spaced Vapor Transport Deposition
利用金辅助的金属氧化物化学汽相沉积法(MOCVD)在汽液固(VLS)生长机制下GaAs (111) B衬底上生长了GaAs纳米线。研究了三个生长温度(500 °C,530 °C,560°C)对纳米线形
等离子体增强化学气相沉积金刚石薄膜中基元过程的研究，汤凯，信裕，利用Gaussian03软件，在CCSD/6-311++G(d,p)水平上计算了等离子增强化学气相沉积金刚石薄膜中，以CH4/H2及引入
利用化学气相淀积(CVD)的方法在AlN/Si(111)复合衬底上成功实现了4H-SiC薄膜的异质外延生长, 用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、阴极荧光(CL)等方法对所得样品的结构特
采用非掺GaN<SPAN style="FONT-FAMILY: 宋体; FONT-SIZE:
硅衬底上生长ZnS薄膜及其性能研究，金凯，李英兰，用分子束外延(MBE)设备在Si(100)衬底上成功制备了单一相的ZnS纳米薄膜，并初步研究了其光学特性。研究表明：ZnS纳米薄膜的紫外-可见吸�
概述 11-2 固定相 11-3 气相色谱分析理论基础 11-4 气相色谱分离操作条件的选择 11-6 气相色谱检测器 11-7 气相色谱定性分析 11-8气相色谱定量分析 11-5
通过磁控溅射Craft.io将具有不同底层的SmCo基薄膜沉积在650 1C的Si衬底上。 研究了不同底层对晶体结构和磁性能的影响。 结果表明,Al,Cu和Ag底层不能对晶体结构和磁性能产生正贡献。
汪小兰有机化学课件1.ppt
结合化学反应动力学模型,对MOCVD反应器中自由基对GaN生长的化学反应路径的影响进行数值模拟研究。通过对比加入自由基前后RDR反应器中Ga浓度变化,来分析自由基对化学反应热解路径的影响。同时改变压强
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