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在有效质量近似的基础上,从理论上研究了半导体和阶梯式势垒对半导体阶梯式量子阱中氢杂质态的影响。 数值结果表明,电子和杂质状态高度依赖于电场和阶梯式量子阱中的阶梯势垒。 施加的对称电场在阶梯式量子阱中诱
c面InGaN / GaN不对称纳米结构的光偏振特性
设计了InGaN/GaN 超晶格垒层替代p-GaN 和n-GaN 附近传统GaN 垒层的InGaN/GaN 多量子阱(MQW)发光二极管(LEDs)结构。通过数值方法模拟出两种LED 结构的光功率-电
对霍尔效应、量子霍尔效应、量子反常霍尔效应等霍尔效应家族一系列成员进行了介绍,并给出了各效应的应用或应用前景,首次综述了霍尔效应家族的发展史。
Laughlin态的低能激发的有效作用是通过系统地扩展磁场的逆功率来获得的。它基于量子不可压缩流体的W无限对称性和相关的自旋场。除了再现Wen和Wen-Zee动作以及霍尔粘度外，这种方法还表明，低能激
我们研究了在1、2和3空间维度上的实标量场φ上沿点的物体沿其世界线施加Dirichlet边界条件引起的量子效应。 边界条件是由场中一个二次项的强耦合极限引起的,并且局限在粒子的轨迹上。 我们讨论出现的
采用非均匀阱宽多量子阱材料拓宽超辐射器件的输出光谱,并利用前期关于倾斜脊形集成超辐射光源的研究成果,制得了新型的1.55 μm高功率宽光谱InGaAsP/InP集成超辐射光源。发现该器件较均匀阱宽多量
我们报告了具有高内部量子效率的InGaN / GaN多量子阱(MQW)纳米棒阵列的光致发光特性。 通过在c面蓝宝石衬底上进行有机金属化学气相沉积来生长InGaN / GaN MQW,然后通过电感耦合等
具有NiOx夹层的石墨烯电极InGaN / GaN LED的增强的光电性能
InAlAs/InGaAs/InAlAs量子阱质子辐照损伤机理
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