入射光脉冲波长为1064nm时,GaAs光导开关上的直流电场强度为103V/cm。讨论了恒定光强和高斯光强时,GaAs杂质吸收载流子浓度随时间变化;将高斯光强时的模拟结果同实验相比较,二者吻合很好。