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和半导体三极管一样,场效应管的电路也有三种接法,即共源极电路、共漏极电路和共栅极电路。 1.共源极电路 共源极电路除有图所示的接法外,还可采用图所示的电路。这种电路的栅偏压是由负电压UG经偏置电阻
1.跨导gm 在漏源电压UDS一定时,漏极电流ID的微量变化和引起这个变化的栅源电压微变量之比称为跨导,即 跨导是衡量场效应管栅源电压uc
导线的Rac/Rdc.之比,与d/△密切相关,而△又与频率有关,在大多数开关电源主电路中,电流都是矩形波,其能量都位于谐波中,因此面临的问题是必须计算出给定频率下的渗透深度。对于这个问题,Venkat
测量用万用表进行,如图所示。将万用表置Rx100挡,正表笔接源极S, 负表笔接漏极D,此时相当于给场效应管加上了一个1.5V的电源电压,万用表指示出漏、源极间的电阻值。当用手捏住场效应管的栅极时,人体
为保证场效应管能起到正常的放大作用,和半导体三极管一样,也要预先给它设置合适的静态工作点。为了减少电源的种类,栅极的偏差一般都采用自给偏压的方法来供给。 典型的自给偏压电路 典型的自给偏差电
由功率场效应管组成的逆变电源如图所示。与非门1、2组成50Hz多谐振荡器,其互为反相的信号分别驱动功率场效应管VT1、VT2交替工作,经变压器几升压成为220V方波输出,可带动小型日光灯一类的负载。
寄生电容一般是指电感,电阻,芯片引脚等在高频情况下表现出来的电容特性。实际上,一个电阻等效于一个电容,一个电感,和一个电阻的串连,在低频情况下表现不是很明显,而在高频情况下,等效值会增大,不能忽略。在
场效应管的好坏可以用万用表进行简易的判断,其方法就是用万用表测量场效应管各电极间的电阻值,然后与手册中标明的电阻值进行对照。具体测量方法是:将万用表置于RX1O或Rx100挡,首先测量源极S与漏极D之
共栅极电路如图所示。偏置电路为自给偏置,当ID流经RS时产生压降ID·RS,由于栅极接地,相当于源极电位比栅极高出一个ID·RS值。这种方法简单,栅极电压也会随信号自动调节,对工作点的稳定有好处。该电
在绝缘层上的硅材料上制作了四种具有不同输入输出结构的星形耦合器并进行了测试,对脊形波导与平板波导相互过渡时过渡区的损耗问题进行了研究和讨论,计算得到在所使用的材料参量下利用锥形结构可以得到1 dB左右
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